ТРАНЗИСТОРИ IGBT
Транзистори IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - це потужні електронні пристрої, які забезпечують високу потужність і високу швидкість комутації струму. Вони складаються з трьох шарів: N-або P-каналового MOSFET транзистора, який керує P-каналовим біполярним транзистором (BJT), який в свою чергу керує струмом. Це дозволяє IGBT транзисторам працювати з високими напругами і струмами, забезпечуючи високу ефективність та низькі втрати енергії. Вони також мають вбудований захист від перевантаження і термічного перегріву, що робить їх безпечними для використання в різних електронних пристроях. Транзистори IGBT використовуються в різних пристроях, таких як блоки живлення, інвертори, змінні приводи, електромобілі та інші.
