ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Германиевые транзисторы - это тип полупроводниковых транзисторов, в которых используется германиевый полупроводник. Они были первыми типом транзисторов, которые были изобретены и широко использовались в электронных устройствах. Германиевые транзисторы были заменены на транзисторы из кремния, которые имеют ряд преимуществ, включая более высокую скорость переключения, более высокую плотность мощности и более низкую стоимость. Однако германиевые транзисторы все еще используются в некоторых приложениях, где требуется высокая линейность или низкий уровень шума.

Германиевые транзисторы работают на основе принципа p-n-перехода. P-n-переход представляет собой область полупроводника, в которой носители заряда одного типа (дырки или электроны) преобладают над носителями заряда другого типа. В германиевых транзисторах p-n-переход формируется путем легирования германия примесями бора (p-область) и фосфора (n-область).

Основная функция транзистора - это усиление тока или напряжения. В режиме усиления тока небольшой ток, протекающий через базу транзистора, управляет более высоким током, протекающим через коллектор и эмиттер. В режиме усиления напряжения небольшой изменение напряжения на базе транзистора управляет более значительным изменением напряжения на коллекторе и эмиттере.