Наименование устройства: IXTQ88N30P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W
Предельно допустимое напряжение сток-утечка |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-утечка | Ugs |: 20 V
пороговое напряжение включения | УГС (th) |: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока Id |: 88 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время роста (tr): 250 ns
Сопротивление сток-утечка открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
Информация для заказа
- Цена: 280 ₴


