
Транзистор IGBT FGH40N60SFD (ТІ0006)
190 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Нет в наличии
- Код: ТІ0006
- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
Наименование: FGH40N60SFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 42
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 190 ₴

