
Транзистор IGBT FGH60N60SMD (ТІ0010)
260 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0010
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: FGH60N60SMD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 47
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 270
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 189
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 260 ₴

