
Транзистор IGBT FGL60N100BND (ТІ0011)
950 ₴
- Готово к отправке 9 ед.
- Код: ТІ0011
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор FGL60N100BND - это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный компанией ON Semiconductor. Он имеет следующие основные характеристики:
Максимальный ток коллектора: 60 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
Напряжение затвор-эмиттер: 10 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,04 Ом
Время переключения: 15 нс
Коэффициент усиления по току: 500
Транзистор FGL60N100BND предназначен для использования в приложениях, требующих высокой мощности и скорости переключения. Он может применяться в таких устройствах, как инверторы, преобразователи частоты, сварочные аппараты, двигатели постоянного тока и т.д.
Транзистор FGL60N100BND выпускается в корпусе TO-220-3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 950 ₴


