Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 08:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 18.05)

+380 (67) 295-37-66
+380 (67) 789-30-35
Интернет-магазин электронных компонентов и аксессуаров 𝐑𝐀𝐃𝐈𝐎𝐁𝐎𝐗
Корзина

Транзистор IGBT FGY75N60SMD (ТІ0012)

460 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: ТІ0012
Транзистор IGBT FGY75N60SMD (ТІ0012)
Транзистор IGBT FGY75N60SMD (ТІ0012)Готово к отправке
460 ₴
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист
  • +380 (67) 789-30-35
    Инна, менеджер интернет-магазина
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист
  • +380 (67) 789-30-35
    Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Наименование: FGY75N60SMD

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 750

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 56

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 390

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 248
Тип корпуса: POWER-247

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Тип транзистораБиполярный
Информация для заказа
  • Цена: 460 ₴