
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4D
127 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Нет в наличии
- Код: ТІ0014
- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
Наименование: HGT1S7N60A4DS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: G7N60A4D
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 34
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7(typ)
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 11
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 37
Тип корпуса: TO263
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 127 ₴

