
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4D
127 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Немає в наявності
- Код: ТІ0014
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Найменування: HGT1S7N60A4DS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: G7N60A4D
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 125
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 34
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.9
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7 (typ)
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 11
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 37
Тип корпусу: TO263
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 127 ₴

