Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 08:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 18.05)

+380 (67) 295-37-66
+380 (67) 789-30-35
Интернет-магазин электронных компонентов и аксессуаров 𝐑𝐀𝐃𝐈𝐎𝐁𝐎𝐗
Корзина

Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4D

127 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴

  • Нет в наличии
  • Код: ТІ0014
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4D
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4DНет в наличии
127 ₴
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист
  • +380 (67) 789-30-35
    Инна, менеджер интернет-магазина
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист
  • +380 (67) 789-30-35
    Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Наименование: HGT1S7N60A4DS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркировка: G7N60A4D

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 34

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7(typ)

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 11

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 37
Тип корпуса: TO263

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Тип транзистораБиполярный
Информация для заказа
  • Цена: 127 ₴