
Транзистор IGBT GT50JR22 (ТІ0027)
140 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0027
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: GT50JR22
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 50JR22
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 180
Тип корпуса: TO-3PN
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 140 ₴

