
Транзистор IGBT H30R1353 (ТІ0032)
380 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0032
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: IHW30N135R3
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: H30R1353
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 349
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 67
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 380 ₴

