
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4
250 ₴
- Нет в наличии
- Код: ТІ0035
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Наименование: HGTG30N60A4
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G30N60A4
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 463
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 12
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 225
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 250 ₴

