
Транзистор IGBT IKW75N60H3 (K75H603) (ТІ0042)
550 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0042
- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
Наименование: IKW75N60H3
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: K75H603
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 428
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 60
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 240
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 470
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 550 ₴

