
Транзистор IGBT IKW75N60H3 (K75H603) (ТІ0042)
550 ₴
- Готово до відправки
- Код: ТІ0042
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Найменування: IKW75N60H3
Маркування: K75H603
Тип керуючого каналу: N-Channel
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 428
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 80
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.85
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 5.7
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 60
Ємність колектора типова (Cc), pf: 240
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 470
Тип корпусу: TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 550 ₴

