
Транзистор IGBT Magnachip Semiconductor MBQ50T65FDSC
210 ₴
- Нет в наличии
- Код: ТІ0070
- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
Наименование: MBQ50T65FDSC
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: 50T65FDSC
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 273
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 60
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 238
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 293
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Magnachip Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 210 ₴

