
Транзистор IGBT RJH30E2 (ТІ0073)
55 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Нет в наличии
- Код: ТІ0073
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Наименование: RJH30E2DPP
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 25
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 100
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 60
Тип корпуса: TO-220FL
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 55 ₴

