
Транзистор IGBT RJP30H2 (ТІ0078)
140 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0078
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: RJP30H2A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 60
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 35
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 180
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 60
Тип корпуса: TO263
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 140 ₴

