
Транзистор IGBT STGF19NC60KD (ТІ0088)
150 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0088
- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
Наименование: STGF19NC60KD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GF19NC60KD
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 32
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 16
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 8
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 127
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 55
Тип корпуса: TO220FP
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 150 ₴

