
Транзистор IGBT YGW60N65F1 (ТІ0092)
190 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0092
- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
Наименование: YGW60N65F1A1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 79
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 158
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Без бренда |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
- Цена: 190 ₴

