Наименование: GT40WR21
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1800
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 5.9
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 400
Тип корпуса: TO-3PN
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 470 ₴


