Наименование: IKW50N60H3
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: K50H603
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 220 ₴


