
Транзистор IGBT SGB10N60A (ТІ0083)
60 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 200 ₴
- Готово к отправке
- Код: ТІ0083
+380 (67) 295-37-66
Владимир, технический специалист- +380 (67) 789-30-35Инна, менеджер интернет-магазина
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: SGB10N60A
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G10N60A
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 92
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Тип корпуса: TO263
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Биполярный |
Информация для заказа
- Цена: 60 ₴

