Найменування приладу: IXTQ88N30P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 600 W
Гранично допустима напруга сток-витік |Uds|: 300 V
Гранично допустима напруга затвор-витік | Ugs |: 20 V
Порогова напруга включення | Ugs (th) |: 5 V
Максимально допустимий постійний струм стоку | Id |: 88 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 180 nC
Час зростання (tr): 250 ns
Опір сток-витік відкритого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпусу: TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
Інформація для замовлення
- Ціна: 280 ₴


