
Транзистор біполярний MMBT5551 (G1) (ТБ0811)
5 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Готово до відправки
- Код: ТБ0811
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Найменування виробника: MMBT5551
Маркування: 3S_G1_K4N
Тип матеріалу: Si
Полярність: NPN
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 0.2 W
Максимально допустима напруга колектор-база (Ucb): 180 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 160 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A
Гранична температура PN-переходу (Tj): 175 °C
Гранична частота коефіцієнта передачі струму (ft): 100 MHz
Ємність колекторного переходу (Cc): 10 pf
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Маркування: 3S_G1_K4N
Тип матеріалу: Si
Полярність: NPN
Максимальна розсіювана потужність (Pc): 0.2 W
Максимально допустима напруга колектор-база (Ucb): 180 V
Максимально допустима напруга колектор-емітер (Uce): 160 V
Максимально допустима напруга емітер-база (Ueb): 5 V
Максимальний постійний струм колектора (Ic): 0.6 A
Гранична температура PN-переходу (Tj): 175 °C
Гранична частота коефіцієнта передачі струму (ft): 100 MHz
Ємність колекторного переходу (Cc): 10 pf
Статичний коефіцієнт передачі струму (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Без бренду |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 5 ₴

