Кошик
5671 відгук
+380 (67) 295-37-66
+380 (67) 789-30-35
Інтернет-магазин електронних компонентів та аксесуарів 𝐑𝐀𝐃𝐈𝐎𝐁𝐎𝐗
Кошик

Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4D

127 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: ТІ0014
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4D
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60A4DНемає в наявності
127 ₴
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст
  • +380 (67) 789-30-35
    Інна, менеджер інтернет-магазину
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст
  • +380 (67) 789-30-35
    Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Найменування: HGT1S7N60A4DS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркування: G7N60A4D

Тип керуючого каналу: N

Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 125

Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600

Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20

Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 34

Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.9

Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7 (typ)

Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150

Час наростання типовий (tr), nS: 11

Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 37
Тип корпусу: TO263

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Тип транзистораБіполярний
Інформація для замовлення
  • Ціна: 127 ₴