Кошик
5671 відгук
+380 (67) 295-37-66
+380 (67) 789-30-35
Інтернет-магазин електронних компонентів та аксесуарів 𝐑𝐀𝐃𝐈𝐎𝐁𝐎𝐗
Кошик

Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60C3D

130 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴

  • Немає в наявності
  • Код: ТІ0015
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60C3D
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60C3DНемає в наявності
130 ₴
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст
  • +380 (67) 789-30-35
    Інна, менеджер інтернет-магазину
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст
  • +380 (67) 789-30-35
    Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Найменування: HGT1S7N60C3DS

Тип транзистора: IGBT + Diode

Маркування: G7N60C3D

Тип керуючого каналу: N

Максимальна потужність (Pc), що розсіюється, W: 60

Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600

Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20

Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 14

Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.6

Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 6

Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150

Час наростання типовий (tr), nS: 11.5

Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 23
Тип корпусу: TO263

Характеристики
Основні
ВиробникFairchild Semiconductor
Країна виробникКитай
Тип транзистораБіполярний
Інформація для замовлення
  • Ціна: 130 ₴