
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor G7N60C3D
130 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Немає в наявності
- Код: ТІ0015
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Найменування: HGT1S7N60C3DS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: G7N60C3D
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність (Pc), що розсіюється, W: 60
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 14
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.6
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 6
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 11.5
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 23
Тип корпусу: TO263
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 130 ₴

