
Транзистор IGBT GT30J322 (ТІ0024)
290 ₴
- Готово до відправки
- Код: ТІ0024
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Найменування: GT30J322
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 75
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 30
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 2.1
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 200
Тип корпусу: TO3P
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 290 ₴

