
Транзистор IGBT GT50JR22 (ТІ0027)
140 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 200 ₴
- Готово до відправки
- Код: ТІ0027
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Найменування: GT50JR22
Маркування: 50JR22
Тип керуючого каналу: N-Channel
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 230
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 25
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 50
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.55
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7.5
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 180
Тип корпусу: TO-3PN
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 140 ₴

