Найменування: HGTG20N60A4D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: 20N60A4D
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 290
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 70
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.8
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 12
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 142
Тип корпусу: TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 290 ₴


