
Транзистор IGBT Fairchild Semiconductor HGTG30N60A4
250 ₴
- Немає в наявності
- Код: ТІ0035
+380 (67) 295-37-66
Володимир, технічний спеціаліст- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Найменування: HGTG30N60A4
Маркування: G30N60A4
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 463
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 75
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.8
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 150
Час наростання типовий (tr), nS: 12
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 225
Тип корпусу: TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 250 ₴

