
Транзистор IGBT Magnachip Semiconductor MBQ50T65FDSC
210 ₴
- Немає в наявності
- Код: ТІ0070
- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
Найменування: MBQ50T65FDSC
Маркування: 50T65FDSC
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 273
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 650
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 100
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.95
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 6.2
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 60
Ємність колектора типова (Cc), pf: 238
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 293
Тип корпусу: TO247
Найменування: MBQ50T65FDSC
Тип транзистора: IGBT
Маркування: 50T65FDSC
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 273
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 650
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 20
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 100
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.95
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 6.2
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 60
Ємність колектора типова (Cc), pf: 238
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 293
Тип корпусу: TO247
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Magnachip Semiconductor |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
- Ціна: 210 ₴

