
Транзистор IGBT GT40WR21 (ТІ0096)
470 ₴
- Готово до відправки
- Код: ТІ0096
- +380 (67) 789-30-35Інна, менеджер інтернет-магазину
Найменування: GT40WR21
Тип керуючого каналу: N-Channel
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 375
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 1800
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 25
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 40
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 5.9
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 400
Тип корпусу: TO-3PN
Найменування: GT40WR21
Тип транзистора: IGBT
Тип керуючого каналу: N-Channel
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 375
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 1800
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 25
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 40
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 5.9
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 400
Тип корпусу: TO-3PN
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Біполярний |
- Ціна: 470 ₴

